關(guān)于暴露倉出現(xiàn)靜電的危害
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- 發(fā)布日期：2018-02-27 11:22:42
1、靜電庫侖力
在靜電庫侖力的效果下，吸附的粉塵、污物構(gòu)成元器材增大走漏或構(gòu)成短路，使暴露倉功能受損，成品率和可靠性大大下降。如粉塵粒徑>100μm，鋁線寬度約100μm，氧化膜厚度在50μm時(shí)，最易使產(chǎn)品作廢。現(xiàn)在線徑更細(xì)，氧化膜很薄，粒徑很小的塵粒子就會(huì)危害元器材，這種景象多發(fā)作在腐蝕清洗、光刻、點(diǎn)焊和封裝等工藝過程中。
2、靜電放電
(1)元器材的絕緣氧化膜被擊穿，引線被燒斷或線間熔斷。若人體帶上10KV(100PF)的靜電荷，接觸器材腳時(shí)發(fā)作ESD，其向大地瞬間構(gòu)成脈沖放電電流峰值可達(dá)20A(10~100s)，不要說高密度，細(xì)線徑，薄SiO2膜的Lsi、Vlsi，就是一般IC、MOS都會(huì)遭受損壞。
一般說器材絕緣柵SiO2薄膜的耐壓場(chǎng)強(qiáng)是E=(5-10)×106V/cm，如果器材SiO2膜厚度取1000，其器材輸入腳施加50V-100V以上的靜電壓就將會(huì)被擊穿，而人體帶靜電超越50V、100V是極往常的。
(2)構(gòu)成噪聲、發(fā)射電磁波攪擾!
ESD引起EMI其電磁波的前后峰較尖，信號(hào)強(qiáng)，相當(dāng)于電路中幾伏的能量，頻率跨越幾MH2甚幾百M(fèi)H2的強(qiáng)壯噪聲，可能引起元器材損壞，設(shè)備和傳感器不正常作業(yè)，甚至引起暴露倉設(shè)備死機(jī)。
ESD引起的EMI還會(huì)引發(fā)過錯(cuò)信號(hào)的輸入，或發(fā)作鎖存現(xiàn)象。如無塵室中，將晶圓片的EMIF箱放在鋼的手推車上，晶圓片的ESD會(huì)通過電感傳給手推車，車輪是絕緣的，則EMI的分散會(huì)引起晶圓片處理機(jī)死機(jī)。
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